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BALLUFF傳感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 由霍爾效應(yīng)的原理知，霍爾電勢(shì)的大小取決于：Rh為霍爾常數(shù)，它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān)； IC為霍爾元件的偏置電流；B為磁場(chǎng)強(qiáng)度；d為半導(dǎo)體材料的厚度。對(duì)于一個(gè)給定的霍爾器件 ，當(dāng)偏置電流Ic固定時(shí)，Vh將*取決于被測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度B。

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